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9月12日，SK海力士宣布完成新一代高带宽内存HBM4的开发，并已搭建起全球首个量产体系。这意味着，全球首款HBM4芯片正式进入量产阶段。
从性能来看，HBM4 拥有业界最佳的数据处理速度和能效，它采用了2048个I/O端口，带宽相较HBM3E提升一倍，能效提高超过40%。（带宽是指每秒在内存和处理器之间传输的最大数据量。）
预计该产品应用后，AI 服务性能将提升高达 69%，显著缓解数据传输瓶颈，同时降低数据中心的能耗。
HBM4 的运行速度为每秒10千兆位 (Gbps)，超过了联合电子设备工程委员会 (JEDEC) 设定的 8Gbps 的全球标准。
在工艺上，SK海力士在HBM4中采用了市场验证过的Advanced MR-MUF工艺，并引入1bnm（即10nm第五代）技术，以降低量产风险。
据悉，HBM4 预计将搭载于英伟达的下一代图形架构 Vera Rubin，该架构是 Blackwell AI 芯片的继任者。
2024年 11 月，SK集团会长崔泰源表示，英伟达首席执行官黄仁勋已要求SK海力士提供12层HBM4 芯片，比SK海力士原定的2026年初的计划提前了六个月。
SK海力士总裁兼AI基础设施负责人金俊勉表示：“HBM4是突破AI基础设施局限的标志性转折点，将成为攻克技术难题的核心产品。”
同时强调：“我们将通过及时提供AI时代所需的最佳品质和多样化性能的内存产品，成长为一家全栈式AI内存供应商。”
HBM，全称高带宽内存，本质上是一种特殊形态的DRAM。它的特点是将多层存储芯片垂直堆叠，通过硅通孔连接，不仅能在有限的空间内提升容量和速度，还能降低功耗。随着人工智能对算力和数据处理速度提出越来越高的要求，HBM已经成为支撑大模型训练和推理的关键部件之一。在过去几年里，SK海力士在HBM市场
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参考文献链接
全球首款 HBM4 芯片，开始量产！